Polysilicium is een belangrijk sputterdoelmateriaal.Het gebruik van de magnetronsputtermethode om SiO2 en andere dunne films te bereiden, kan ervoor zorgen dat het matrixmateriaal een betere optische, diëlektrische en corrosieweerstand heeft, die veel wordt gebruikt in touchscreen-, optische en andere industrieën.
Het proces van het gieten van lange kristallen is om de directionele stolling van vloeibaar silicium van onder naar boven geleidelijk te realiseren door de temperatuur van de verwarmer in het hete veld van de blokoven en de warmtedissipatie van het thermische isolatiemateriaal nauwkeurig te regelen, en de stolling lange kristallen snelheid is 0,8 ~ 1,2 cm/u.Tegelijkertijd kan tijdens het proces van gerichte stolling het segregatie-effect van metalen elementen in siliciummaterialen worden gerealiseerd, kunnen de meeste metalen elementen worden gezuiverd en kan een uniforme polykristallijne siliciumkorrelstructuur worden gevormd.
Het gieten van polysilicium moet ook opzettelijk worden gedoteerd in het productieproces, om de concentratie van acceptorverontreinigingen in de siliciumsmelt te veranderen.Het belangrijkste doteringsmiddel van gegoten polysilicium van het p-type in de industrie is de moederlegering van siliciumborium, waarin het boorgehalte ongeveer 0,025% bedraagt.De doteringshoeveelheid wordt bepaald door de doelweerstand van de siliciumwafel.De optimale soortelijke weerstand is 0,02 ~ 0,05 Ω · cm, en de overeenkomstige boorconcentratie is ongeveer 2 x 1014 cm-3. De segregatiecoëfficiënt van boor in silicium is echter 0,8, wat een bepaald segregatie-effect zal vertonen in het gerichte stollingsproces, dat dat wil zeggen, het boorelement wordt verdeeld in een gradiënt in de verticale richting van de staaf, en de soortelijke weerstand neemt geleidelijk af van de onderkant naar de bovenkant van de staaf.
Posttijd: 26 juli 2022